二硫化鉬CVD氣相沉積系統\滑動式二硫化鉬CVD制備設備
二硫化鉬CVD氣相沉積系統概述
硫粉預熱器采用管內測控溫，穩(wěn)定控制硫蒸汽的蒸發(fā)時機和蒸發(fā)溫度。真空機組裝有真空粉塵過濾器以保護機械式真空泵不被硫粉塵損壞。采用耐腐蝕電阻電容復合真空計（在1000Pa以上測量不受氣體種類影響，耐硫蒸氣腐蝕），通過調節(jié)真空蝶閥的開啟程度調節(jié)爐管內壓力穩(wěn)定，在1200℃以下的工藝溫度穩(wěn)定氣相沉積二硫化鉬等二維化合物材料。二硫化鉬CVD氣相沉積系統組成
HCVD/1200℃雙溫區(qū)管式爐，HT硫粉預熱器(雙溫區(qū)管式爐與預熱器可滑動)，質量流量計供氣系統，機械式真空泵等組成。二硫化鉬CVD氣相沉積系統主要技術參數
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硫粉預熱器 ? |
型號：SGM.400℃?二硫化鉬CVD氣相沉積系統 工作溫度：350℃ 額定溫度：400℃ 升溫速率：30℃/min 推薦升溫速率：10℃/min 控溫方式：智能化30段可編程控制 工作電壓：AC220?V 額定功率：800W 控溫精度：±1℃ 加熱元件：電阻絲 ? |
| 雙溫區(qū)硫化爐? |
型號：HCVD/1200S 技術參數： 額定功率(KW):3 額定電壓(V):AC220v??50/60?Hz 額定溫度(℃):1200℃ （可選900℃、1200℃、1400℃、1700℃） 持續(xù)工作溫度(℃）：1100 升溫速率（℃/min）：≤50 爐管尺寸（mm）： 高純石英管Φ50×1500mm 加熱區(qū)長度（mm）：440mm 恒溫區(qū)長度（mm）:200mm?? 控溫方式:模糊PID控制和自整定調節(jié)，智能化30段可編程控制，具有超溫和斷偶報警功能 控溫精度(℃):±1 加熱元件:電阻絲 |
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供氣系統GMF3Z ? |
質量流量計 重量：35Kg 外形尺寸：600x600x650mm 連接頭類型：雙卡套不銹鋼接頭。 標準量程（N2標定)：50sccm、200sccm、500sccm；?（可根據用戶要求定制） 準確度：±1.5% 線性：±0.5～1.5% 重復精度：±0.2% 響應時間：氣特性：1～4?Sec，電特性：10?Sec 工作壓差范圍：0.1～0.5?MPa 額定壓力：3MPa 接口：Φ6,1/4'' 顯示：4位數字顯示 工作環(huán)境溫度:5~45高純氣體????????????? 內外雙拋不銹鋼管：Φ6 壓力真空表：－0.1～0.15?MPa,?0.01?MPa/格? 截止閥：Φ6 |
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低真空機組VAU-02 ? |
技術參數： 空氣相對濕度≤85%， 工作電電壓：220V±10%??50~60HZ? 功率：1千瓦 抽氣速率：4Ls 極限真空：4X10-2Pa 實驗真空度：1.0X10-1Pa 容油量：1.1L 進氣口口徑：KF25 排氣口口徑：KF25 轉速：1450rpm 噪音：50dB 外型尺寸:450×180×240mm |
| 配真空粉塵過濾器，DN25手動蝶閥用于控制爐管內壓力，INFICON PCG554復合真空計 |
用CVD制備二硫化鉬，可以生長成單層的。
什么是cvd？cvd什么意思？
CVD(Chemical Vapor Deposition, 化學氣相沉積),CVD化學氣相沉積是指化學氣體或蒸汽在基質表面反應合成涂層或納米材料的方法，是半導體工業(yè)中應用設計為廣泛的用來沉積多種材料的技術，包括大范圍的絕緣材料，大多數金屬材料和金屬合金材料。從理論上來說，它是很簡單的：兩種或兩種以上的氣態(tài)原材料導入到一個反應室內，然后他們相互之間發(fā)生化學反應，形成一種新的材料，沉積到晶片表面上。沉積氮化硅膜(Si3N4)就是一個很好的例子，它是由硅烷和氮反應形成的。
CVD技術常常通過反應類型或者壓力來分類，包括低壓CVD(LPCVD)，常壓CVD(APCVD)，亞常壓CVD(SACVD)，超高真空CVD(UHCVD)，等離子體增強CVD(PECVD)，高密度等離子體CVD(HDPCVD)以及快熱CVD(RTCVD)。然后，還有金屬有機物CVD(MOCVD)，根據金屬源的自特性來保證它的分類，這些金屬的典型狀態(tài)是液態(tài)，在導入容器之前必須先將它氣化。不過，容易引起混淆的是，有些人會把MOCVD認為是有機金屬CVD(OMCVD)。
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